Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

M24512-RMB6TG

M24512-RMB6TG

Solo per riferimento

Numero parte M24512-RMB6TG
PNEDA Part # M24512-RMB6TG
Descrizione IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8UFDFPN
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M24512-RMB6TG Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM24512-RMB6TG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M24512-RMB6TG, M24512-RMB6TG Datasheet (Totale pagine: 41, Dimensioni: 519,58 KB)
PDFM24512-DRMB6TG Datasheet Copertura
M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 2 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 3 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 4 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 5 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 6 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 7 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 8 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 9 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 10 M24512-DRMB6TG Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • M24512-RMB6TG Datasheet
  • where to find M24512-RMB6TG
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics M24512-RMB6TG
  • M24512-RMB6TG PDF Datasheet
  • M24512-RMB6TG Stock

  • M24512-RMB6TG Pinout
  • Datasheet M24512-RMB6TG
  • M24512-RMB6TG Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • M24512-RMB6TG Price
  • M24512-RMB6TG Distributor

M24512-RMB6TG Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso500ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UFDFPN (2x3)

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT41K512M4HX-15E:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (512M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x11.5)

CY7C1361C-100BGC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

IS46TR16128CL-15HBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

BR93H56RFVM-2CTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

IS45S32400E-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

Venduto di recente

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

CRCW0402499RFKED

CRCW0402499RFKED

Vishay Dale

RES SMD 499 OHM 1% 1/16W 0402

74HC273D

74HC273D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC

NFM31KC223R1H3L

NFM31KC223R1H3L

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 50V 1206

SMBJ12CA-TR

SMBJ12CA-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 12V 25.3V SMB

AD822AN

AD822AN

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

PI5USB2544ZHEX

PI5USB2544ZHEX

Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

HCS3920FTL500

HCS3920FTL500

Stackpole Electronics

RES 500 UOHM 1% 5W 3920

BAT54T1G

BAT54T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

CY29942AI

CY29942AI

Cypress Semiconductor

IC CLK BUFFER 1:18 200MHZ 32TQFP

FLZ6V8A

FLZ6V8A

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F