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MS2473A

MS2473A

Solo per riferimento

Numero parte MS2473A
PNEDA Part # MS2473A
Descrizione RF POWER TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2473A Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2473A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2473A Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.3V

Frequenza - Transizione

11.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

900mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

UFM

MX0912B251Y,114

Ampleon

Produttore

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.4dB

Potenza - Max

690W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-439A

Pacchetto dispositivo fornitore

CDFM2

MS1076C

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

890MHz ~ 1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

180W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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