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MX0912B251Y,114

MX0912B251Y,114

Solo per riferimento

Numero parte MX0912B251Y,114
PNEDA Part # MX0912B251Y-114
Descrizione RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Produttore Ampleon
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MX0912B251Y Risorse

Brand Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX0912B251Y,114
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MX0912B251Y, MX0912B251Y Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 77 KB)
PDFMX0912B251Y Datasheet Copertura
MX0912B251Y Datasheet Pagina 2 MX0912B251Y Datasheet Pagina 3 MX0912B251Y Datasheet Pagina 4 MX0912B251Y Datasheet Pagina 5 MX0912B251Y Datasheet Pagina 6 MX0912B251Y Datasheet Pagina 7 MX0912B251Y Datasheet Pagina 8 MX0912B251Y Datasheet Pagina 9 MX0912B251Y Datasheet Pagina 10 MX0912B251Y Datasheet Pagina 11

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MX0912B251Y Specifiche

ProduttoreAmpleon USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione1.215GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.4dB
Potenza - Max690W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-439A
Pacchetto dispositivo fornitoreCDFM2

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MZ0912B100Y,114

Ampleon

Produttore

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.6dB

Potenza - Max

290W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-443A

Pacchetto dispositivo fornitore

CDFM2

KSC1674RBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

NE85619-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

PN5179_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

1004MA

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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