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MS1008

MS1008

Solo per riferimento

Numero parte MS1008
PNEDA Part # MS1008
Descrizione RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS1008 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS1008
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS1008 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Frequenza - Transizione30MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno14dB
Potenza - Max233W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 1.4A, 6V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaM164
Pacchetto dispositivo fornitoreM164

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFU550R

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

BFP842ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.7V

Frequenza - Transizione

60GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.65dB @ 3.5GHz

Guadagno

26dB

Potenza - Max

120mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 15mA, 2.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

UPA811T-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Guadagno

7.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

BFU530R

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

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