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BFU530R

BFU530R

Solo per riferimento

Numero parte BFU530R
PNEDA Part # BFU530R
Descrizione RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU530R Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU530R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU530R, BFU530R Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 304,61 KB)
PDFBFU530VL Datasheet Copertura
BFU530VL Datasheet Pagina 2 BFU530VL Datasheet Pagina 3 BFU530VL Datasheet Pagina 4 BFU530VL Datasheet Pagina 5 BFU530VL Datasheet Pagina 6 BFU530VL Datasheet Pagina 7 BFU530VL Datasheet Pagina 8 BFU530VL Datasheet Pagina 9 BFU530VL Datasheet Pagina 10 BFU530VL Datasheet Pagina 11

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BFU530R Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione11GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.6dB @ 900MHz
Guadagno21.5dB
Potenza - Max450mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40mA
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Macro-X

Pacchetto dispositivo fornitore

Macro-X

2SC5108-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

MS2211

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

48V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.3dB

Potenza - Max

25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900mA

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M222

Pacchetto dispositivo fornitore

M222

AT-32032-TR1G

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Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Guadagno

13.5dB ~ 15dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

1.9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343 Reverse Pinning

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