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MJD112TF

MJD112TF

Solo per riferimento

Numero parte MJD112TF
PNEDA Part # MJD112TF
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD112TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD112TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD112TF, MJD112TF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 148,1 KB)
PDFMJD117RLG Datasheet Copertura
MJD117RLG Datasheet Pagina 2 MJD117RLG Datasheet Pagina 3 MJD117RLG Datasheet Pagina 4 MJD117RLG Datasheet Pagina 5 MJD117RLG Datasheet Pagina 6 MJD117RLG Datasheet Pagina 7 MJD117RLG Datasheet Pagina 8 MJD117RLG Datasheet Pagina 9 MJD117RLG Datasheet Pagina 10

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MJD112TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione25MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

BC856ALT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

90MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

BD543C-S

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Produttore

Bourns Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1.6A, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 5A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

BC859BLT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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