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MJD112TF

MJD112TF

Solo per riferimento

Numero parte MJD112TF
PNEDA Part # MJD112TF
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.096
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD112TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD112TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD112TF, MJD112TF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 148,1 KB)
PDFMJD117RLG Datasheet Copertura
MJD117RLG Datasheet Pagina 2 MJD117RLG Datasheet Pagina 3 MJD117RLG Datasheet Pagina 4 MJD117RLG Datasheet Pagina 5 MJD117RLG Datasheet Pagina 6 MJD117RLG Datasheet Pagina 7 MJD117RLG Datasheet Pagina 8 MJD117RLG Datasheet Pagina 9 MJD117RLG Datasheet Pagina 10

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MJD112TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione25MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-71

Pacchetto dispositivo fornitore

3-NMP

2N5001

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SB09700RL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 8mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

2SD2016

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

200V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

90MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

2N6650

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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