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MCQ4438-TP

MCQ4438-TP

Solo per riferimento

Numero parte MCQ4438-TP
PNEDA Part # MCQ4438-TP
Descrizione N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MCQ4438-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCQ4438-TP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MCQ4438-TP, MCQ4438-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 616,95 KB)
PDFMCQ4438-TP Datasheet Copertura
MCQ4438-TP Datasheet Pagina 2 MCQ4438-TP Datasheet Pagina 3 MCQ4438-TP Datasheet Pagina 4

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MCQ4438-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.25W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 6.3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

TPH3R203NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta), 44W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

FQA16N50-F109

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

RYC002N05T316

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SST3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TN2524N8-G

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

240V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

360mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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