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MB85R256FPF-G-BND-ERE1

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

Solo per riferimento

Numero parte MB85R256FPF-G-BND-ERE1
PNEDA Part # MB85R256FPF-G-BND-ERE1
Descrizione IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
Produttore Fujitsu Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.338
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Risorse

Brand Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMB85R256FPF-G-BND-ERE1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MB85R256FPF-G-BND-ERE1, MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.697,98 KB)
PDFMB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Copertura
MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 2 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 3 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 4 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 5 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 6 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 7 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 8 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 9 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 10 MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet Pagina 11

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MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Specifiche

ProduttoreFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina150ns
Tempo di accesso150ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

3.5µs

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

24LC21-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

S71VS064RB0AHT4L0

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

VS-R

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH, PSRAM

Dimensione della memoria

64Mbit Flash, 32Mbit RAM

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

52-VFRBGA (6x5)

STK11C68-L35I

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-LCC

Pacchetto dispositivo fornitore

28-LCC (13.97x8.89)

TH58NVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

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