MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet
MB85R256FPF-G-BND-ERE1 Datasheet
Totale pagine: 36
Dimensioni: 1.697,98 KB
Fujitsu Electronics
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
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Produttore Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FRAM Tecnologia FRAM (Ferroelectric RAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 150ns Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOP |
