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MAX2601ESA+

MAX2601ESA+

Solo per riferimento

Numero parte MAX2601ESA+
PNEDA Part # MAX2601ESA
Descrizione RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAX2601ESA+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAX2601ESA+
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MAX2601ESA+, MAX2601ESA+ Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 88,04 KB)
PDFMAX2602ESA-T Datasheet Copertura
MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 2 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 3 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 4 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 5 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 6

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MAX2601ESA+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione1GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.3dB @ 836MHz
Guadagno11.6dB
Potenza - Max6.4W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 250mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.2A
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Guadagno

15.5dB

Potenza - Max

210mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSFP-3

MSD2714AT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59

2SC5086-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Guadagno

8.3dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFR181E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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