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2SC5086-O,LF

2SC5086-O,LF

Solo per riferimento

Numero parte 2SC5086-O,LF
PNEDA Part # 2SC5086-O-LF
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.247.322
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2SC5086-O Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2SC5086-O,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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2SC5086-O Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB @ 500MHz
Guadagno-
Potenza - Max100mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitoreSSM

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

HFA3128R96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)

BFP182RE7764HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143R-4

NE67739-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

14.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SC3357-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

1.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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