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M58LW032D90ZA6

M58LW032D90ZA6

Solo per riferimento

Numero parte M58LW032D90ZA6
PNEDA Part # M58LW032D90ZA6
Descrizione IC FLASH 32M PARALLEL 64TBGA
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M58LW032D90ZA6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM58LW032D90ZA6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M58LW032D90ZA6, M58LW032D90ZA6 Datasheet (Totale pagine: 50, Dimensioni: 729,99 KB)
PDFM58LW032D90ZA6 Datasheet Copertura
M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 2 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 3 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 4 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 5 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 6 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 7 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 8 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 9 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 10 M58LW032D90ZA6 Datasheet Pagina 11

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M58LW032D90ZA6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-TBGA (10x13)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CAT24C208WI-GT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IDT6116LA45SO8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SOIC

SST49LF008A-33-4C-EIE

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Produttore

Microchip Technology

Serie

SST49

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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