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M29F400FT55M32

M29F400FT55M32

Solo per riferimento

Numero parte M29F400FT55M32
PNEDA Part # M29F400FT55M32
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.258
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M29F400FT55M32 Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM29F400FT55M32
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M29F400FT55M32, M29F400FT55M32 Datasheet (Totale pagine: 56, Dimensioni: 679,14 KB)
PDFM29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Copertura
M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 2 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 3 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 4 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 5 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 6 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 7 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 8 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 9 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 10 M29F400FT5AM6T2 TR Datasheet Pagina 11

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M29F400FT55M32 Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8, 256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SO

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Serie

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Tipo di memoria

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Tecnologia

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

25LC080T/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

93C56AT-I/MNY

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (2G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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