LSIC1MO170E1000
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| Numero parte | LSIC1MO170E1000 |
| PNEDA Part # | LSIC1MO170E1000 |
| Descrizione | MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L |
| Produttore | Littelfuse |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.972 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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LSIC1MO170E1000 Risorse
| Brand | Littelfuse |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LSIC1MO170E1000 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
LSIC1MO170E1000, LSIC1MO170E1000 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.016,72 KB)
  
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LSIC1MO170E1000 Specifiche
| Produttore | Littelfuse Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +22V, -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3L |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1785pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 34.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
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