LSIC1MO170E1000
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| Numero parte | LSIC1MO170E1000 |
| PNEDA Part # | LSIC1MO170E1000 |
| Descrizione | MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L |
| Produttore | Littelfuse |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.972 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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LSIC1MO170E1000 Risorse
| Brand | Littelfuse |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LSIC1MO170E1000 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
LSIC1MO170E1000, LSIC1MO170E1000 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.016,72 KB)
  
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LSIC1MO170E1000 Specifiche
| Produttore | Littelfuse Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +22V, -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3L |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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