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DMP57D5UV-7

DMP57D5UV-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP57D5UV-7
PNEDA Part # DMP57D5UV-7
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Prezzo unitario
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
Disponibile 156
Magazzini USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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Consegna stimata feb 28 - mar 5 (Scegli Spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP57D5UV-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
Mfr. Numero di parteDMP57D5UV-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMP57D5UV-7, DMP57D5UV-7 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 182,33 KB)
PDFDMP57D5UV-7 Datasheet Copertura
DMP57D5UV-7 Datasheet Pagina 2 DMP57D5UV-7 Datasheet Pagina 3 DMP57D5UV-7 Datasheet Pagina 4 DMP57D5UV-7 Datasheet Pagina 5

DMP57D5UV-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C160mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds29pF @ 25V
Potenza - Max400mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.63mOhm @ 200A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

496nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14700pF @ 800V

Potenza - Max

20mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V

Potenza - Max

50W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Certificates

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