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JS28F00AP33TF

JS28F00AP33TF

Solo per riferimento

Numero parte JS28F00AP33TF
PNEDA Part # JS28F00AP33TF
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 4.464
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JS28F00AP33TF Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJS28F00AP33TF
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
JS28F00AP33TF, JS28F00AP33TF Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.015,36 KB)
PDFPC28F256P33B2F TR Datasheet Copertura
PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 2 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 3 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 4 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 5 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 6 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 7 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 8 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 9 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 10 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 11

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JS28F00AP33TF Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock40MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina105ns
Tempo di accesso105ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore56-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (14x9)

MT53E2G32D4DT-046 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS61LV12824-10B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

3Mb (128K x 24)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

71V321L35TF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (10x10)

MT35XU256ABA2G12-0AAT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Xccela™ - MT35X

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Xccela Bus

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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