JANTX1N6643US
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| Numero parte | JANTX1N6643US |
| PNEDA Part # | JANTX1N6643US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.912 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTX1N6643US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N6643US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N6643US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 125V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 300mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 20V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, D |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5D |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1600V Corrente - Media Rettificata (Io) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 470A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 7µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 30mA @ 1600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F 44pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
