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JANTX1N6643US

JANTX1N6643US

Solo per riferimento

Numero parte JANTX1N6643US
PNEDA Part # JANTX1N6643US
Descrizione DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX1N6643US Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX1N6643US
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JANTX1N6643US Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/578
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)125V
Corrente - Media Rettificata (Io)300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)6ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr50nA @ 20V
Capacità @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSQ-MELF, D
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5D
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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R5001615XXWA

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 470A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

7µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30mA @ 1600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AA (DO-8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

V12P10HE3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 12A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

CDBUR0340

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

350mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

6.4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

0603/SOD-523F

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

SS26LHMTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SS215HR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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