J112_D11Z
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| Numero parte | J112_D11Z |
| PNEDA Part # | J112_D11Z |
| Descrizione | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.456 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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J112_D11Z Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J112_D11Z |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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J112_D11Z Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 35V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohms |
| Potenza - Max | 625mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AF (TO-72) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 3V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 100 Ohms Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/431 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore 3-UB (3.09x2.45) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 190mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 30mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore 3-USFP |
