PMBFJ620,115
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| Numero parte | PMBFJ620,115 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | PMBFJ620-115 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP | ||||||||||||||||||
| Produttore | NXP | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 12.304 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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PMBFJ620 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMBFJ620,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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PMBFJ620 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 25V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 24mA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 2V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohms |
| Potenza - Max | 190mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 35V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AF (TO-72) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 240µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 30mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1123 Pacchetto dispositivo fornitore 3-USFP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.7V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
