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IXXH75N60C3

IXXH75N60C3

Solo per riferimento

Numero parte IXXH75N60C3
PNEDA Part # IXXH75N60C3
Descrizione IGBT 600V 150A 750W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXXH75N60C3 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXXH75N60C3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXXH75N60C3 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
Potenza - Max750W
Switching Energy1.6mJ (on), 800µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge107nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/90ns
Condizione di test400V, 60A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXXH)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Potenza - Max

695W

Switching Energy

2mJ (on), 950µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/90ns

Condizione di test

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA Variation

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXXK)

SGL40N150DTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 40A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264-3

IXGH40N60

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/600ns

Condizione di test

480V, 40A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

HGTG12N60A4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

54A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

55µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

78nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/96ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

GPA030A120MN-FD

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Potenza - Max

329W

Switching Energy

4.5mJ (on), 850µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

330nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/245ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

450ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

Venduto di recente

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

ERJ-M1WSJ15MU

ERJ-M1WSJ15MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

TC1262-2.5VDB

TC1262-2.5VDB

Microchip Technology

IC REG LIN 2.5V 500MA SOT223-3

DG408DY-T1-E3

DG408DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

MAX14757EUE+

MAX14757EUE+

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP

MAX1044ESA+

MAX1044ESA+

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP INV 20MA 8SOIC

ATMEGA328P-15AZ

ATMEGA328P-15AZ

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

IGBT 600V 75A 200W TO-247

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ