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IXTK88N30P

IXTK88N30P

Solo per riferimento

Numero parte IXTK88N30P
PNEDA Part # IXTK88N30P
Descrizione MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.016
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTK88N30P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTK88N30P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTK88N30P, IXTK88N30P Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 324,08 KB)
PDFIXTT88N30P Datasheet Copertura
IXTT88N30P Datasheet Pagina 2 IXTT88N30P Datasheet Pagina 3 IXTT88N30P Datasheet Pagina 4 IXTT88N30P Datasheet Pagina 5

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IXTK88N30P Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolarHT™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C88A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6300pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)600W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 (IXTK)
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2404pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

46.1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

AO3401AL_101

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

63A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMPD

Pacchetto / Custodia

24-PowerSMD, 21 Leads

FQD8P10TM-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

530mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP10NM60ND

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

577pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

MT41J128M16JT-093:K

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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