IXTA1R6N100D2HV
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Numero parte | IXTA1R6N100D2HV |
PNEDA Part # | IXTA1R6N100D2HV |
Descrizione | MOSFET N-CH |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.336 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTA1R6N100D2HV Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXTA1R6N100D2HV |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTA1R6N100D2HV Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tj) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 10V |
Funzione FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263HV |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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