IXTA1R6N100D2HV
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| Numero parte | IXTA1R6N100D2HV |
| PNEDA Part # | IXTA1R6N100D2HV |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.336 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTA1R6N100D2HV Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTA1R6N100D2HV |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTA1R6N100D2HV Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 10V |
| Funzione FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263HV |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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