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IXSR50N60BU1

IXSR50N60BU1

Solo per riferimento

Numero parte IXSR50N60BU1
PNEDA Part # IXSR50N60BU1
Descrizione IGBT 600V ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXSR50N60BU1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSR50N60BU1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXSR50N60BU1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS247™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

183A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

307A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

Potenza - Max

780W

Switching Energy

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

294nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/212ns

Condizione di test

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 [L]

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

700ns/4.3µs

Condizione di test

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

117A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

1192µJ (on), 1088µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

162nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/131ns

Condizione di test

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NGD8201NT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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