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APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Solo per riferimento

Numero parte APT64GA90B2D30
PNEDA Part # APT64GA90B2D30
Descrizione IGBT 900V 117A 500W TO-247
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT64GA90B2D30 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT64GA90B2D30
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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APT64GA90B2D30 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)117A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)193A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 38A
Potenza - Max500W
Switching Energy1192µJ (on), 1088µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge162nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C18ns/131ns
Condizione di test600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore-

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NGTB25N120FL2WAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

385W

Switching Energy

990µJ (on), 660µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

181nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/113ns

Condizione di test

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

136ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

IXGY2N120

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 5A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

9nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/300ns

Condizione di test

960V, 2A, 150Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

FGH75T65SHDT-F155

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

455W

Switching Energy

3mJ (on), 750µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

123nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/86ns

Condizione di test

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

76ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRG4PF50WDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

51A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

204A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

2.63mJ (on), 1.34mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

160nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

71ns/150ns

Condizione di test

720V, 28A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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