IXGX50N60BD1
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| Numero parte | IXGX50N60BD1 |
| PNEDA Part # | IXGX50N60BD1 |
| Descrizione | IGBT 600V 75A 300W TO247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.262 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGX50N60BD1 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXGX50N60BD1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IXGX50N60BD1 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 75A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 300W |
| Switching Energy | 1.5mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/200ns |
| Condizione di test | 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 9A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Potenza - Max 38W Switching Energy 250µJ (on), 140µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 19nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 49ns/97ns Condizione di test 480V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 28ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 31A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Potenza - Max 100W Switching Energy 230µJ (on), 1.18mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 51nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 21ns/200ns Condizione di test 480V, 17A, 23Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Potenza - Max 238W Switching Energy 138µJ (on), 52µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 80nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16.4ns/86.4ns Condizione di test 400V, 10A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 31.8ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 19A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 38A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A Potenza - Max 60W Switching Energy 120µJ (on), 2.05mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 27ns/540ns Condizione di test 480V, 10A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
