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IRG4BC30F-S

IRG4BC30F-S

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC30F-S
PNEDA Part # IRG4BC30F-S
Descrizione IGBT 600V 31A 100W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.304
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC30F-S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC30F-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4BC30F-S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)31A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 17A
Potenza - Max100W
Switching Energy230µJ (on), 1.18mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge51nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C21ns/200ns
Condizione di test480V, 17A, 23Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

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Serie

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

67A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Potenza - Max

246W

Switching Energy

1.06mJ (on), 610µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

177nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/222ns

Condizione di test

400V, 40A, 10.1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

APT50GN60BDQ2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

107A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

Potenza - Max

366W

Switching Energy

1185µJ (on), 1565µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

325nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/230ns

Condizione di test

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

FGB30N6S2D

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

55µJ (on), 100µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

6ns/40ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

46ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

75nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/104ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

89ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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