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IXGX35N120CD1

IXGX35N120CD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGX35N120CD1
PNEDA Part # IXGX35N120CD1
Descrizione IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGX35N120CD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGX35N120CD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGX35N120CD1, IXGX35N120CD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 41,96 KB)
PDFIXGX35N120CD1 Datasheet Copertura
IXGX35N120CD1 Datasheet Pagina 2

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IXGX35N120CD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 35A
Potenza - Max350W
Switching Energy3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/150ns
Condizione di test960V, 35A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)60ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247™-3

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Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

920ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

60µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/116ns

Condizione di test

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

188A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

490A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Potenza - Max

1150W

Switching Energy

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

270nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/123ns

Condizione di test

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

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Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Potenza - Max

735W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

57A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

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-

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