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IXGL200N60B3

IXGL200N60B3

Solo per riferimento

Numero parte IXGL200N60B3
PNEDA Part # IXGL200N60B3
Descrizione IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGL200N60B3 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGL200N60B3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGL200N60B3, IXGL200N60B3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 211,83 KB)
PDFIXGL200N60B3 Datasheet Copertura
IXGL200N60B3 Datasheet Pagina 2 IXGL200N60B3 Datasheet Pagina 3 IXGL200N60B3 Datasheet Pagina 4 IXGL200N60B3 Datasheet Pagina 5 IXGL200N60B3 Datasheet Pagina 6

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IXGL200N60B3 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)600A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 100A
Potenza - Max400W
Switching Energy1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge750nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C44ns/310ns
Condizione di test300V, 100A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS264™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS264™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

52A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

1.61mJ (on), 840µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

63ns/150ns

Condizione di test

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IRG4RC10UTR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

80µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/116ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

FGA6560WDF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Potenza - Max

306W

Switching Energy

2.46mJ (on), 520µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

84nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25.6ns/71ns

Condizione di test

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

110ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/150ns

Condizione di test

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Gate Charge

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-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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