IXGH100N30C3
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| Numero parte | IXGH100N30C3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IXGH100N30C3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IGBT 300V 75A 460W TO247 | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 239 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXGH100N30C3 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXGH100N30C3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IXGH100N30C3 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 300V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 75A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 500A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Potenza - Max | 460W |
| Switching Energy | 230µJ (on), 520µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 162nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/105ns |
| Condizione di test | 200V, 50A, 2Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXGH) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 9.4A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 4A Potenza - Max 50W Switching Energy 131µJ Tipo di ingresso Standard Gate Charge 24nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/237ns Condizione di test 400V, 4A, 67Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 198A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A Potenza - Max 833W Switching Energy 605µJ (on), 895µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/90ns Condizione di test 400V, 65A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 300V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 150A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 40A Potenza - Max 543W Switching Energy 825µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 145nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16ns/75ns Condizione di test 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
