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IXFT69N30P

IXFT69N30P

Solo per riferimento

Numero parte IXFT69N30P
PNEDA Part # IXFT69N30P
Descrizione MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.110
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IXFT69N30P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFT69N30P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFT69N30P, IXFT69N30P Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 176,26 KB)
PDFIXFT69N30P Datasheet Copertura
IXFT69N30P Datasheet Pagina 2 IXFT69N30P Datasheet Pagina 3 IXFT69N30P Datasheet Pagina 4 IXFT69N30P Datasheet Pagina 5

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IXFT69N30P Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolarHT™ HiPerFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C69A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4960pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)500W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

88A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

R6035KNZC8

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

102mOhm @ 18.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

102W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Produttore

IXYS

Serie

TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

405nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1000W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Nexperia

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375mW (Ta), 2.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

560mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

306pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

78W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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