IXFT69N30P
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| Numero parte | IXFT69N30P |
| PNEDA Part # | IXFT69N30P |
| Descrizione | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.110 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFT69N30P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFT69N30P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFT69N30P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | PolarHT™ HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 300V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 69A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4960pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
| Pacchetto / Custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-CPH Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PW-MINI Pacchetto / Custodia TO-243AA |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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