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IXDI609SITR

IXDI609SITR

Solo per riferimento

Numero parte IXDI609SITR
PNEDA Part # IXDI609SITR
Descrizione IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC
Produttore IXYS Integrated Circuits Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.608
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDI609SITR Risorse

Brand IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDI609SITR
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDI609SITR, IXDI609SITR Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 288,03 KB)
PDFIXDN609YI Datasheet Copertura
IXDN609YI Datasheet Pagina 2 IXDN609YI Datasheet Pagina 3 IXDN609YI Datasheet Pagina 4 IXDN609YI Datasheet Pagina 5 IXDN609YI Datasheet Pagina 6 IXDN609YI Datasheet Pagina 7 IXDN609YI Datasheet Pagina 8 IXDN609YI Datasheet Pagina 9 IXDN609YI Datasheet Pagina 10 IXDN609YI Datasheet Pagina 11

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IXDI609SITR Specifiche

ProduttoreIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)9A, 9A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)22ns, 15ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 12ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (2x3)

TC1413NEUA713

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

HIP6602BCRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN-EP (5x5)

LM5104SD/NOPB

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.6A, 1.6A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Tempo di salita / discesa (tipico)

600ns, 600ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-WSON (4x4)

IR21363JTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

125ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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