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ISL89400ABZ-TK

ISL89400ABZ-TK

Solo per riferimento

Numero parte ISL89400ABZ-TK
PNEDA Part # ISL89400ABZ-TK
Descrizione IC DRVR H-BRDG 100V 1.25A 8SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL89400ABZ-TK Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL89400ABZ-TK
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL89400ABZ-TK, ISL89400ABZ-TK Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 675,44 KB)
PDFISL89401ABZ-TK Datasheet Copertura
ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 2 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 3 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 4 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 5 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 6 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 7 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 8 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 9 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 10 ISL89401ABZ-TK Datasheet Pagina 11

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  • ISL89400ABZ-TK Distributor

ISL89400ABZ-TK Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione9V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH3.7V, 7.4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.25A, 1.25A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100V
Tempo di salita / discesa (tipico)16ns, 16ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IR2113PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3.3V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

IR2133JPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

13V ~ 17.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

620V

Tempo di salita / discesa (tipico)

60ns, 26ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IRS2005MTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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