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IS61QDB24M18A-300B4LI

IS61QDB24M18A-300B4LI

Solo per riferimento

Numero parte IS61QDB24M18A-300B4LI
PNEDA Part # IS61QDB24M18A-300B4LI
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61QDB24M18A-300B4LI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61QDB24M18A-300B4LI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61QDB24M18A-300B4LI, IS61QDB24M18A-300B4LI Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 770,95 KB)
PDFIS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Copertura
IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 2 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 3 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 4 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 5 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 6 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 7 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 8 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 9 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 10 IS61QDB24M18A-250B4LI Datasheet Pagina 11

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  • IS61QDB24M18A-300B4LI Distributor

IS61QDB24M18A-300B4LI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QUAD
Dimensione della memoria72Mb (4M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock300MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso1.48ns
Tensione - Alimentazione1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-LFBGA (13x15)

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IS43R16320F-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (13x8)

STK14CA8-NF25I

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

S29GL256N11FAI022

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IDT71P74604S200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

Venduto di recente

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WSL20108L000FEA

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