IS43R16320F-5BL-TR
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| Numero parte | IS43R16320F-5BL-TR |
| PNEDA Part # | IS43R16320F-5BL-TR |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.718 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS43R16320F-5BL-TR Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS43R16320F-5BL-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS43R16320F-5BL-TR, IS43R16320F-5BL-TR Datasheet
(Totale pagine: 29, Dimensioni: 848,93 KB)
  
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IS43R16320F-5BL-TR Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 700ps |
| Tensione - Alimentazione | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-TFBGA (13x8) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM Dimensione della memoria 288Mb (8M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 144-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 144-FBGA (18.5x11) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 7ns Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II Dimensione della memoria 36Mb (4M x 9) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 300MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
