IS42SM32200M-75BLI
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| Numero parte | IS42SM32200M-75BLI |
| PNEDA Part # | IS42SM32200M-75BLI |
| Descrizione | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.052 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS42SM32200M-75BLI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS42SM32200M-75BLI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS42SM32200M-75BLI, IS42SM32200M-75BLI Datasheet
(Totale pagine: 34, Dimensioni: 856,23 KB)
  
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IS42SM32200M-75BLI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile |
| Dimensione della memoria | 64Mb (2M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 133MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 6ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) |
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Produttore Maxim Integrated Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 150ns Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-EDIP |
