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MUR160

MUR160 MUR160

Solo per riferimento

Numero parte MUR160
PNEDA Part # MUR160
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUR160 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUR160
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MUR160, MUR160 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 178,57 KB)
PDFMUR160 Datasheet Copertura
MUR160 Datasheet Pagina 2 MUR160 Datasheet Pagina 3 MUR160 Datasheet Pagina 4 MUR160 Datasheet Pagina 5 MUR160 Datasheet Pagina 6 MUR160 Datasheet Pagina 7 MUR160 Datasheet Pagina 8

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MUR160 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreAxial
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Stealth™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

RS2AA-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

EG 1V0

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

800mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 800mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

VF10150S-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HER307G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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