IRLHS2242TR2PBF
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Numero parte | IRLHS2242TR2PBF |
PNEDA Part # | IRLHS2242TR2PBF |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.078 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLHS2242TR2PBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRLHS2242TR2PBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRLHS2242TR2PBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta), 15A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 877pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
Pacchetto / Custodia | 6-PowerVDFN |
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