TPN2R503NC,L1Q
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Numero parte | TPN2R503NC,L1Q |
PNEDA Part # | TPN2R503NC-L1Q |
Descrizione | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.646 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPN2R503NC Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TPN2R503NC,L1Q |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TPN2R503NC Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVIII |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 35W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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