IRG8CH50K10F
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| Numero parte | IRG8CH50K10F |
| PNEDA Part # | IRG8CH50K10F |
| Descrizione | IGBT CHIP WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRG8CH50K10F Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG8CH50K10F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IRG8CH50K10F Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 245nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 60ns/285ns |
| Condizione di test | 600V, 50A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 9A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Potenza - Max 38W Switching Energy 250µJ (on), 140µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 19nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 49ns/97ns Condizione di test 480V, 5A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 28ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 156A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 42A Potenza - Max 350W Switching Energy 5.68mJ (on), 3.23mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 410nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 67ns/230ns Condizione di test 800V, 42A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 107ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-274AA Pacchetto dispositivo fornitore SUPER-247™ (TO-274AA) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 52A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 104A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Potenza - Max 200W Switching Energy 490µJ (on), 680µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 200nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 38ns/160ns Condizione di test 480V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1400V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 35A Potenza - Max 300W Switching Energy 4mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 120nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 40ns/150ns Condizione di test 960V, 35A, 3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXSH) |
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