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IRG8CH50K10F

IRG8CH50K10F

Solo per riferimento

Numero parte IRG8CH50K10F
PNEDA Part # IRG8CH50K10F
Descrizione IGBT CHIP WAFER
Produttore Infineon Technologies
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Disponibile 2.826
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IRG8CH50K10F Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG8CH50K10F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG8CH50K10F, IRG8CH50K10F Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 196,44 KB)
PDFIRG8CH50K10F Datasheet Copertura
IRG8CH50K10F Datasheet Pagina 2 IRG8CH50K10F Datasheet Pagina 3 IRG8CH50K10F Datasheet Pagina 4

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IRG8CH50K10F Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge245nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C60ns/285ns
Condizione di test600V, 50A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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NGTG15N120FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

294W

Switching Energy

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

109nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

64ns/128ns

Condizione di test

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG4PSH71KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Potenza - Max

350W

Switching Energy

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

410nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

67ns/230ns

Condizione di test

800V, 42A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

107ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-274AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SUPER-247™ (TO-274AA)

STGWT80V60F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

448nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

IRG4RC10KD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

250µJ (on), 140µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

49ns/97ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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