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IRFR4105ZTRL

IRFR4105ZTRL

Solo per riferimento

Numero parte IRFR4105ZTRL
PNEDA Part # IRFR4105ZTRL
Descrizione MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.996
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IRFR4105ZTRL Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFR4105ZTRL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFR4105ZTRL, IRFR4105ZTRL Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 206,98 KB)
PDFIRFU4105ZTRR Datasheet Copertura
IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 2 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 3 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 4 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 5 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 6 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 7 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 8 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 9 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 10 IRFU4105ZTRR Datasheet Pagina 11

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IRFR4105ZTRL Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)48W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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NVMFS5C456NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 55W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

PMPB215ENEA/FX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN2020MD (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

FQB9N25TM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.13W (Ta), 90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI7407DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

BS250FTA

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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