PMPB215ENEA/FX
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| Numero parte | PMPB215ENEA/FX |
| PNEDA Part # | PMPB215ENEA-FX |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.744 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMPB215ENEA/FX Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMPB215ENEA/FX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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PMPB215ENEA/FX Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
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