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IRF9410

IRF9410

Solo per riferimento

Numero parte IRF9410
PNEDA Part # IRF9410
Descrizione MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF9410 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF9410
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF9410, IRF9410 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 114,86 KB)
PDFIRF9410TR Datasheet Copertura
IRF9410TR Datasheet Pagina 2 IRF9410TR Datasheet Pagina 3 IRF9410TR Datasheet Pagina 4 IRF9410TR Datasheet Pagina 5 IRF9410TR Datasheet Pagina 6 IRF9410TR Datasheet Pagina 7

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IRF9410 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H2PAK-6

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 46W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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