AON6362P
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| Numero parte | AON6362P |
| PNEDA Part # | AON6362P |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8DFN |
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.670 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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AON6362P Risorse
| Brand | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AON6362P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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AON6362P Specifiche
| Produttore | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 3.8A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.82nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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