Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF7555TR

IRF7555TR

Solo per riferimento

Numero parte IRF7555TR
PNEDA Part # IRF7555TR
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7555TR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7555TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7555TR, IRF7555TR Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 71,58 KB)
PDFIRF7555TR Datasheet Copertura
IRF7555TR Datasheet Pagina 2 IRF7555TR Datasheet Pagina 3 IRF7555TR Datasheet Pagina 4 IRF7555TR Datasheet Pagina 5 IRF7555TR Datasheet Pagina 6 IRF7555TR Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IRF7555TR Datasheet
  • where to find IRF7555TR
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF7555TR
  • IRF7555TR PDF Datasheet
  • IRF7555TR Stock

  • IRF7555TR Pinout
  • Datasheet IRF7555TR
  • IRF7555TR Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF7555TR Price
  • IRF7555TR Distributor

IRF7555TR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1066pF @ 10V
Potenza - Max1.25W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitoreMicro8™

I prodotti a cui potresti essere interessato

SI4913DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

AON5802B_101

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN-EP (2x5)

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

9-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

9-BGA (1.35x1.35)

APTC90AM60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Super Junction

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

IRF7901D1TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Venduto di recente

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

HSMG-C680

HSMG-C680

Broadcom

LED GREEN CLEAR CHIP SMD R/A

LTST-C190KGKT

LTST-C190KGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

0458002.DR

0458002.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 48VAC 75VDC 1206

7447709330

7447709330

Wurth Electronics

FIXED IND 33UH 4.2A 45 MOHM SMD

MAX15303AA00+CM

MAX15303AA00+CM

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJUSTABLE 6A 40TQFN

PI3USB30532ZLE

PI3USB30532ZLE

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX USB 3.0 40TQFN

SCMT22F505PRBA0

SCMT22F505PRBA0

CAPACITOR 5F 20% 5.5V THRU HOLE

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

LM2904AQTH-13

LM2904AQTH-13

Diodes Incorporated

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP

FPF2125

FPF2125

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH ADVANCED SOT23